Технические характеристики
Быстрый процесс нагрева и охлаждения
Работа в вакууме или в контролируемой атмосфере
Точный контроль давления и температуры
Подходит для лабораторных и опытно-промышленных применений
Система быстрого уплотнения для исследований и производства перспективных материалов.
Предназначена для быстрого спекания керамики, композитов, металлов и функциональных материалов под контролируемым давлением и в контролируемой атмосфере.
Технические характеристики
Быстрый процесс нагрева и охлаждения
Работа в вакууме или в контролируемой атмосфере
Точный контроль давления и температуры
Подходит для лабораторных и опытно-промышленных применений
Технический обзор
| Технологический процесс | Искровое плазменное спекание |
| Атмосфера | Вакуум / инертный газ |
| Области применения | Керамика, композиты, металлы |
Обзор процесса SPS
Метод искрового плазменного спекания сочетает воздействие импульсного постоянного тока с одноосным давлением, что позволяет уплотнять порошки за минуты, а не за часы.
Засыпка порошка
Порошок загружают в электропроводящую графитовую пресс-форму, расположенную между верхним и нижним электродами-пуансонами.Материал пресс-формы: графит (стандартное исполнение) или композитный материал.
Система вакуумирования / создания атмосферы
Камеру вакуумируют или заполняют инертным газом для создания чистой среды обработки.Атмосфера: вакуум или Ar/N2
Импульсный ток + давление
Одновременно прикладываются импульсный постоянный ток и одноосное давление, что обеспечивает быстрый джоулев нагрев матрицы и образца.Скорость нагрева до ~1000 °C/мин; давление до 150 МПа
Краткосрочное удержание и уплотнение застройки
Кратковременная выдержка при максимальной температуре позволяет достичь плотности, близкой к теоретической, в процессе уплотнения, активируемого искровым или плазменным разрядом.Пиковая температура до 2500 °C; выдержка обычно исчисляется минутами, а не часами.
Быстрое охлаждение и выгрузка
Подачу тока прекращают, прессовку быстро охлаждают, а затем извлекают из пресс-формы для последующей обработки.Охлаждение в значительной степени определяется теплоемкостью кристалла и камеры.