СОВРЕМЕННОЕ ВАКУУМНОЕ СПЕКАЮЩЕЕ ОБОРУДОВАНИЕ
+7 (495) 223-40-00
+7 (495) 223-40-00
TOKYO BOEKI

Система искрового плазменного спекания

Система быстрого уплотнения для исследований и производства перспективных материалов.

Предназначена для быстрого спекания керамики, композитов, металлов и функциональных материалов под контролируемым давлением и в контролируемой атмосфере.

Сделать запрос  

Технические характеристики

Быстрый процесс нагрева и охлаждения

Работа в вакууме или в контролируемой атмосфере

Точный контроль давления и температуры

Подходит для лабораторных и опытно-промышленных применений

Технический обзор

Технологический процесс Искровое плазменное спекание
Атмосфера Вакуум / инертный газ
Области применения Керамика, композиты, металлы
Технологический процесс

Обзор процесса SPS

Метод искрового плазменного спекания сочетает воздействие импульсного постоянного тока с одноосным давлением, что позволяет уплотнять порошки за минуты, а не за часы.

1

Засыпка порошка

Порошок загружают в электропроводящую графитовую пресс-форму, расположенную между верхним и нижним электродами-пуансонами.

Материал пресс-формы: графит (стандартное исполнение) или композитный материал.

2

Система вакуумирования / создания атмосферы

Камеру вакуумируют или заполняют инертным газом для создания чистой среды обработки.

Атмосфера: вакуум или Ar/N2

3

Импульсный ток + давление

Одновременно прикладываются импульсный постоянный ток и одноосное давление, что обеспечивает быстрый джоулев нагрев матрицы и образца.

Скорость нагрева до ~1000 °C/мин; давление до 150 МПа

4

Краткосрочное удержание и уплотнение застройки

Кратковременная выдержка при максимальной температуре позволяет достичь плотности, близкой к теоретической, в процессе уплотнения, активируемого искровым или плазменным разрядом.

Пиковая температура до 2500 °C; выдержка обычно исчисляется минутами, а не часами.

5

Быстрое охлаждение и выгрузка

Подачу тока прекращают, прессовку быстро охлаждают, а затем извлекают из пресс-формы для последующей обработки.

Охлаждение в значительной степени определяется теплоемкостью кристалла и камеры.